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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 116A（Tc） 3W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB5405NT4G
  仓库库存编号：NTB5405NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP25N40D-E3
  仓库库存编号：SIHP25N40D-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 12.6A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA13N80_F109
  仓库库存编号：FQA13N80_F109FS-ND
  别名：FQA13N80_F109-ND
  FQA13N80_F109FS
  FQA13N80F109
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ470P2
  仓库库存编号：IXTQ470P2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK654R8-40C,127
  仓库库存编号：568-7501-5-ND
  别名：568-7501-5
  934064242127
  BUK654R8-40C,127-ND
  BUK654R840C127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12.6A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA13N80
  仓库库存编号：FQA13N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 116A（Tc） 3W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB5405NG
  仓库库存编号：NTB5405NG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 85A（Tc） 268W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT460
  仓库库存编号：785-1146-2-ND
  别名：785-1146-2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB440
  仓库库存编号：785-1212-1-ND
  别名：785-1212-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 219W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT30N60KC6
  仓库库存编号：APT30N60KC6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16.5A（Ta），116A（Tc） 3W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：NVB5405NT4G
  仓库库存编号：NVB5405NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7705
  仓库库存编号：IRF7705-ND
  别名：*IRF7705
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7705TR
  仓库库存编号：IRF7705TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7705GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7705GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7705GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80N06S3-09
  仓库库存编号：IPD80N06S3-09-ND
  别名：SP000264473
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7705TRPBF
  仓库库存编号：IRF7705TRPBFCT-ND
  别名：IRF7705TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 88nC @ 10V,
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