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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT456P
  仓库库存编号：NDT456PCT-ND
  别名：NDT456PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4190ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4190ADY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44PBF
  仓库库存编号：IRFZ44PBF-ND
  别名：*IRFZ44PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC067N06LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC067N06LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC067N06LS3 GINCT
  BSC067N06LS3 GINCT-ND
  BSC067N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ067N06LS3 G
  仓库库存编号：BSZ067N06LS3GINCT-ND
  别名：BSZ067N06LS3GINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF640NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF640NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF640NSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 128W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK626R2-40C,118
  仓库库存编号：1727-7149-1-ND
  别名：1727-7149-1
  568-9626-1
  568-9626-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM024NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM024NA04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM024NA04LCR RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM024NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM024NA04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM024NA04LCR RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM024NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM024NA04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM024NA04LCR RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8896
  仓库库存编号：FDS8896CT-ND
  别名：FDS8896CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 39A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 145W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76633P3_F085
  仓库库存编号：HUF76633P3_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44RPBF
  仓库库存编号：IRFZ44RPBF-ND
  别名：*IRFZ44RPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640NPBF
  仓库库存编号：IRF640NPBF-ND
  别名：*IRF640NPBF
  SP001570078
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44VPBF
  仓库库存编号：IRFZ44VPBF-ND
  别名：*IRFZ44VPBF
  SP001571862
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF640NLPBF
  仓库库存编号：IRF640NLPBF-ND
  别名：*IRF640NLPBF
  SP001563296
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ40PBF
  仓库库存编号：IRFZ40PBF-ND
  别名：*IRFZ40PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.6A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI840GPBF
  仓库库存编号：IRFI840GPBF-ND
  别名：*IRFI840GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44SPBF
  仓库库存编号：IRFZ44SPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），93A（Tc） 80W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8896_F085
  仓库库存编号：FDB8896_F085CT-ND
  别名：FDB8896_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），93A（Tc） 80W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8896
  仓库库存编号：FDB8896CT-ND
  别名：FDB8896CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 690W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT70N20Q3
  仓库库存编号：IXFT70N20Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta），92A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8896
  仓库库存编号：FDP8896-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 40 V 21 MOHM TYP. 120
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 235W（Tc） TO-220
  
  型号：STP260N4F7
  仓库库存编号：497-17320-ND
  别名：497-17320
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH70N20Q3
  仓库库存编号：IXFH70N20Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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