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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 205A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM015NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM015NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM015NA03CR RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 205A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM015NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM015NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM015NA03CR RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 205A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM015NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM015NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM015NA03CR RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL285N4F7AG
  仓库库存编号：STL285N4F7AG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 94.5A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH4840S,115
  仓库库存编号：1727-3053-1-ND
  别名：1727-3053-1
  568-2180-1
  568-2180-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44STRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ44STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP110N055T
  仓库库存编号：IXTP110N055T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 230W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA110N055T7
  仓库库存编号：IXTA110N055T7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658404
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658410
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001647042
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 6A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N150
  仓库库存编号：IXTH6N150-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 3A（Tc） 125W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTJ6N150
  仓库库存编号：IXTJ6N150-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 128W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6208-40C,118
  仓库库存编号：568-6979-1-ND
  别名：568-6979-1
  BUK620840C118
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.6A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI840G
  仓库库存编号：IRFI840G-ND
  别名：*IRFI840G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ40
  仓库库存编号：IRFZ40-ND
  别名：*IRFZ40
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44S
  仓库库存编号：IRFZ44S-ND
  别名：*IRFZ44S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44STRR
  仓库库存编号：IRFZ44STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFZ44L
  仓库库存编号：IRFZ44L-ND
  别名：*IRFZ44L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44STRL
  仓库库存编号：IRFZ44STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44R
  仓库库存编号：IRFZ44R-ND
  别名：*IRFZ44R
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44RSTRR
  仓库库存编号：IRFZ44RSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC840PBF
  仓库库存编号：IRC840PBF-ND
  别名：*IRC840PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 15.3A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4070N3
  仓库库存编号：FDS4070N3CT-ND
  别名：FDS4070N3_NLCT
  FDS4070N3_NLCT-ND
  FDS4070N3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 15.3A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4070N7
  仓库库存编号：FDS4070N7CT-ND
  别名：FDS4070N7_NLCT
  FDS4070N7_NLCT-ND
  FDS4070N7CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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