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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 27A（Tc） 450W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH27N50
  仓库库存编号：FDH27N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 13.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4770
  仓库库存编号：FDS4770-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 39A（Tc） 145W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76633P3
  仓库库存编号：HUF76633P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 39A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76633S3S
  仓库库存编号：HUF76633S3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 39A（Tc） 145W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76633P3
  仓库库存编号：HUFA76633P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 39A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76633S3ST
  仓库库存编号：HUF76633S3ST-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 39A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76633S3S
  仓库库存编号：HUFA76633S3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 39A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76633S3ST
  仓库库存编号：HUFA76633S3ST-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 31A（Tc） 403W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT5518BFLLG
  仓库库存编号：APT5518BFLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 110A（Tc） 230W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA110N055T
  仓库库存编号：IXTA110N055T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS8435A
  仓库库存编号：NDS8435A-ND
  别名：Q4210279C
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 45A TO-220ML
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Ta） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220ML
  
  型号：2SK3704
  仓库库存编号：2SK3704-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） SMP-FD
  
  型号：2SK3817-DL-E
  仓库库存编号：2SK3817-DL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Ta） 1.75W（Ta），60W（Tc） TO-220
  
  型号：2SK3824
  仓库库存编号：2SK3824-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44STRRPBF
  仓库库存编号：IRFZ44STRRPBFCT-ND
  别名：IRFZ44STRRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6015DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6015DPK-00#T0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK6015DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJK6015DPM-00#T1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：64-0007
  仓库库存编号：64-0007-ND
  别名：*IRF640N
  IRF640N
  IRF640N-ND
  SP001522470
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF640NL
  仓库库存编号：IRF640NL-ND
  别名：*IRF640NL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44VS
  仓库库存编号：IRFZ44VS-ND
  别名：*IRFZ44VS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44VSTRL
  仓库库存编号：IRFZ44VSTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44VSTRR
  仓库库存编号：IRFZ44VSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB012NE2LX
  仓库库存编号：BSB012NE2LXCT-ND
  别名：BSB012NE2LXCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 67nC @ 10V,
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