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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4378DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4378DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4378DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
  
  型号：RF4C050APTR
  仓库库存编号：RF4C050APCT-ND
  别名：RF4C050APTRCT
  RF4C050APTRCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4378DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4378DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4378DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISS27ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS27ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS27ADN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH EFCP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2W Surface Mount 6-EFCP (2.7x1.81)
  
  型号：EFC6602R-TR
  仓库库存编号：EFC6602R-TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH EFCP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2W Surface Mount 6-EFCP (2.7x1.81)
  
  型号：EFC6602R-A-TR
  仓库库存编号：EFC6602R-A-TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8A（Ta） 2W（Ta） SuperSOT?-6 FLMP
  
  型号：FDC697P_F077
  仓库库存编号：FDC697PCT-ND
  别名：FDC697P_NLCT
  FDC697P_NLCT-ND
  FDC697PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 7.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS8434A
  仓库库存编号：NDS8434ACT-ND
  别名：NDS8434ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4404DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4404DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4965DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4965DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4965DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4965DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 13A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7402DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7402DN-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 13A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7402DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7402DN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7856ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7856ADP-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7856ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7856ADP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4404DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4404DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4404DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 55nC @ 4.5V,
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