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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS2672
仓库库存编号：
FDS2672CT-ND
别名：FDS2672CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
型号：
FDMS86200
仓库库存编号：
FDMS86200CT-ND
别名：FDMS86200CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS7672AS
仓库库存编号：
FDMS7672ASCT-ND
别名：FDMS7672ASCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
型号：
MMSF3P02HDR2G
仓库库存编号：
MMSF3P02HDR2GOSCT-ND
别名：MMSF3P02HDR2GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ34PBF
仓库库存编号：
IRFZ34PBF-ND
别名：*IRFZ34PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
型号：
ZXM64P03XTA
仓库库存编号：
ZXM64P03XCT-ND
别名：ZXM64P03X
ZXM64P03XCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3580
仓库库存编号：
FDS3580FSCT-ND
别名：FDS3580FSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 110W（Tc） TO-251AA
型号：
HUFA76429D3
仓库库存编号：
HUFA76429D3FS-ND
别名：HUFA76429D3-ND
HUFA76429D3FS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta），16A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL24NM60N
仓库库存编号：
497-11206-1-ND
别名：497-11206-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
STP8NK80Z
仓库库存编号：
497-15685-5-ND
别名：497-15685-5
STP8NK80Z-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
STI24NM60N
仓库库存编号：
497-12260-ND
别名：497-12260
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
STP24NM60N
仓库库存编号：
497-11229-5-ND
别名：497-11229-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R5016FNX
仓库库存编号：
R5016FNX-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03MSGINCT
BSC050N03MSGINCT-ND
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 142W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN2R0-30YLDX
仓库库存编号：
1727-2218-1-ND
别名：1727-2218-1
568-12472-1
568-12472-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 65A（Tc） 107W（Tc） Power56
型号：
FDMS86369_F085
仓库库存编号：
FDMS86369_F085CT-ND
别名：FDMS86369_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI24NM60N
仓库库存编号：
497-12859-5-ND
别名：497-12859-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-247
型号：
STW24NM60N
仓库库存编号：
497-12705-5-ND
别名：497-12705-5
STW24NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道
型号：
BSC882N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC882N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC882N03LSGATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8.5A
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC4435BZ_F126
仓库库存编号：
FDMC4435BZ_F126CT-ND
别名：FDMC4435BZ_F126CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS0312S
仓库库存编号：
FDMS0312SCT-ND
别名：FDMS0312SCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
型号：
FDMC4435BZ
仓库库存编号：
FDMC4435BZCT-ND
别名：FDMC4435BZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS0310S
仓库库存编号：
FDMS0310SCT-ND
别名：FDMS0310SCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.8W（Ta），60W（Tc） TO-252
型号：
FDD5680
仓库库存编号：
FDD5680CT-ND
别名：FDD5680CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 1.6W（Ta），64W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH1R403NL,L1Q
仓库库存编号：
TPH1R403NLL1QCT-ND
别名：TPH1R403NL,L1QCT
TPH1R403NL,L1QCT-ND
TPH1R403NLL1QCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46nC @ 10V,
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