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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 208W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD11S60
  仓库库存编号：785-1264-1-ND
  别名：785-1264-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.9A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMP3085LSD-13
  仓库库存编号：DMP3085LSD-13DICT-ND
  别名：DMP3085LSD-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 56.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2N60
  仓库库存编号：785-1180-1-ND
  别名：785-1180-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4842
  仓库库存编号：785-1064-1-ND
  别名：785-1064-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT014
  仓库库存编号：NDT014CT-ND
  别名：NDT014CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4803A
  仓库库存编号：785-1054-1-ND
  别名：785-1054-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL014TRPBF
  仓库库存编号：IRFL014PBFCT-ND
  别名：*IRFL014TRPBF
  IRFL014PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 150V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 56.8W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD770N15A
  仓库库存编号：FDD770N15ACT-ND
  别名：FDD770N15ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3458BDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3458BDV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN3300ANH,LQ
  仓库库存编号：TPN3300ANHLQCT-ND
  别名：TPN3300ANHLQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1110FNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH1110FNHL1QCT-ND
  别名：TPH1110FNH,L1QCT
  TPH1110FNH,L1QCT-ND
  TPH1110FNHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD014PBF
  仓库库存编号：IRFD014PBF-ND
  别名：*IRFD014PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ14PBF
  仓库库存编号：IRFZ14PBF-ND
  别名：*IRFZ14PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ14SPBF
  仓库库存编号：IRFZ14SPBF-ND
  别名：IRFZ14SPBFCT
  IRFZ14SPBFCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS5703TRPBF
  仓库库存编号：IRLMS5703PBFCT-ND
  别名：*IRLMS5703TRPBF
  IRLMS5703PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
  
  型号：SI5936DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5936DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5936DU-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3458BDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3458BDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3458BDV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 3.8W（Ta），42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：FDD5612
  仓库库存编号：FDD5612CT-ND
  别名：FDD5612CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A CPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 40W（Tc） CPT3
  
  型号：R6004CNDTL
  仓库库存编号：R6004CNDTLCT-ND
  别名：R6004CNDTLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9010PBF
  仓库库存编号：IRFD9010PBF-ND
  别名：*IRFD9010PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU014PBF
  仓库库存编号：IRFU014PBF-ND
  别名：*IRFU014PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIZ14GPBF
  仓库库存编号：IRFIZ14GPBF-ND
  别名：*IRFIZ14GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 178W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT11S60L
  仓库库存编号：785-1250-5-ND
  别名：785-1250-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190P6
  仓库库存编号：IPP60R190P6-ND
  别名：IPP60R190P6XKSA1
  SP001017066
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7506TRPBF
  仓库库存编号：IRF7506TRPBFCT-ND
  别名：IRF7506TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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