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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta),21A(Tc) 2.4W(Ta),30W(Tc) DIRECTFET SB
型号:
AUIRF7640S2TR
仓库库存编号:
AUIRF7640S2CT-ND
别名:AUIRF7640S2CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB90R340C3ATMA1
仓库库存编号:
IPB90R340C3ATMA1CT-ND
别名:IPB90R340C3ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.5A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SOP
型号:
MCQ4459-TP
仓库库存编号:
MCQ4459-TPMSCT-ND
别名:MCQ4459-TPMSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 20.3A(Tc) 62W(Tc) D2PAK
型号:
PHB20N06T,118
仓库库存编号:
1727-4761-1-ND
别名:1727-4761-1
568-5938-1
568-5938-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 22A(Tc) 56W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN050-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7212-1-ND
别名:1727-7212-1
568-9703-1
568-9703-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 525V 2.5A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STU4N52K3
仓库库存编号:
497-12363-ND
别名:497-12363
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 525V 2.5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF4N52K3
仓库库存编号:
497-12579-5-ND
别名:497-12579-5
STF4N52K3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 45W(Tc) TO-220
型号:
STP4N52K3
仓库库存编号:
497-11232-5-ND
别名:497-11232-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 57W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2N60A
仓库库存编号:
785-1663-1-ND
别名:785-1663-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 20W(Tc) CPT3
型号:
RDD023N50TL
仓库库存编号:
RDD023N50TLCT-ND
别名:RDD023N50TLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR014TRPBF
仓库库存编号:
IRFR014TRPBFCT-ND
别名:*IRFR014TRPBF
IRFR014PBFCT
IRFR014PBFCT-ND
IRFR014TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC2512
仓库库存编号:
FDC2512CT-ND
别名:FDC2512CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS481ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS481ENW-T1_GE3CT-ND
别名:SQS481ENW-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 1.9W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
FDMC8032L
仓库库存编号:
FDMC8032LCT-ND
别名:FDMC8032LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8449_F085
仓库库存编号:
FDS8449_F085CT-ND
别名:FDS8449_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.6A(Tc) 700mW(Ta),27W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN30008NH,LQ
仓库库存编号:
TPN30008NHLQCT-ND
别名:TPN30008NHLQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Tc) 2.4W(Ta),4.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4102DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4102DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4102DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V POWER56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10.1A, 12.4A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS7620S
仓库库存编号:
FDMS7620SCT-ND
别名:FDMS7620S_F065CT
FDMS7620S_F065CT-ND
FDMS7620SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK6P65W,RQ
仓库库存编号:
TK6P65WRQCT-ND
别名:TK6P65WRQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMN40ENE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 530mW(Ta), 4.46W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN40ENEX
仓库库存编号:
1727-2734-1-ND
别名:1727-2734-1
568-13298-1
568-13298-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB65ENEZ
仓库库存编号:
1727-1478-1-ND
别名:1727-1478-1
568-10949-1
568-10949-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 400mW(Ta),8.3W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB120EPE
仓库库存编号:
1727-1472-1-ND
别名:1727-1472-1
568-10943-1
568-10943-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL014NTRPBF
仓库库存编号:
IRFL014NPBFCT-ND
别名:*IRFL014NTRPBF
IRFL014NPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7526D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7526D1TRPBFCT-ND
别名:IRF7526D1TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD78CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD78CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD78CN10NGATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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