规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG16N10S4L61AATMA1
仓库库存编号：
IPG16N10S4L61AATMA1-ND
别名：SP001102932
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 1.5A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRFL014NTR
仓库库存编号：
AUIRFL014NTR-ND
别名：SP001521554
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3A（Tc） 26.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
型号：
IPL65R1K5C6SATMA1
仓库库存编号：
IPL65R1K5C6SATMA1-ND
别名：SP001163086
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80V 22A（Tc） 56W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN050-80PS,127
仓库库存编号：
568-4901-5-ND
别名：568-4901-5
934063909127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.8A（Tc） 20W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9610
仓库库存编号：
IRF9610-ND
别名：*IRF9610
IRF9611
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014
仓库库存编号：
IRFR014-ND
别名：*IRFR014
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ14
仓库库存编号：
IRFZ14-ND
别名：*IRFZ14
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9610S
仓库库存编号：
IRF9610S-ND
别名：*IRF9610S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD014
仓库库存编号：
IRFD014-ND
别名：*IRFD014
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ14G
仓库库存编号：
IRFIZ14G-ND
别名：*IRFIZ14G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL014
仓库库存编号：
IRFL014-ND
别名：*IRFL014
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL014TR
仓库库存编号：
IRFL014TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014TR
仓库库存编号：
IRFR014TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU014
仓库库存编号：
IRFU014-ND
别名：*IRFU014
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14S
仓库库存编号：
IRFZ14S-ND
别名：*IRFZ14S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.8A（Tc） I2PAK
型号：
IRF9610L
仓库库存编号：
IRF9610L-ND
别名：*IRF9610L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9610STRL
仓库库存编号：
IRF9610STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9610STRR
仓库库存编号：
IRF9610STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014TRL
仓库库存编号：
IRFR014TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014TRR
仓库库存编号：
IRFR014TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ10
仓库库存编号：
IRFZ10-ND
别名：*IRFZ10
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ14L
仓库库存编号：
IRFZ14L-ND
别名：*IRFZ14L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRL
仓库库存编号：
IRFZ14STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRR
仓库库存编号：
IRFZ14STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.8A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8012-H(TE12L,Q)
仓库库存编号：
TPC8012-HQDKR-ND
别名：TPC8012-HDKR
TPC8012-HDKR-ND
TPC8012-HQDKR
TPC8012HTE12LQ
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
无铅
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