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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6.7A（Ta） 42W（Ta） TO-252
  
  型号：FDD2512
  仓库库存编号：FDD2512-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.9A（Ta） 42W（Ta） TO-252
  
  型号：FDD2612
  仓库库存编号：FDD2612-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N60TM
  仓库库存编号：FQD2N60TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N60TF
  仓库库存编号：FQD2N60TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 64W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2N60
  仓库库存编号：FQP2N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.6A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N60
  仓库库存编号：FQPF2N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N60TU
  仓库库存编号：FQU2N60TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 3.13W（Ta），64W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB2N60TM
  仓库库存编号：FQB2N60TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Tc） 1.5W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1472DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1472DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1472DH-T1-E3CT
  SI1472DHT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDFS2P753AZ
  仓库库存编号：FDFS2P753AZCT-ND
  别名：FDFS2P753AZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC2612_F095
  仓库库存编号：FDC2612_F095-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
  
  型号：SIA814DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA814DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA814DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8021-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8021-H(TE12LQ,M-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7.5A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8022-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8022-H(TE12LQ,M-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.2A（Ta） 1W（Ta），30W（Tc） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8001-H(TE85LFM
  仓库库存编号：TPCP8001-H(TE85LFM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  
  型号：TPC8213-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8213-H(TE12LQ,M-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.8A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：SFM9014TF
  仓库库存编号：SFM9014TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），24W（Tc） D-Pak
  
  型号：SFR9014TF
  仓库库存编号：SFR9014TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.5A（Ta） TO-220SIS
  
  型号：TK4A60DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A60DA(STA4QM)-ND
  别名：TK4A60DA(STA4QM)
  TK4A60DASTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.8A（Tc） 2.4W（Ta），4.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4102DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4102DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 13A 1.8W Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  
  型号：AON7900
  仓库库存编号：785-1249-1-ND
  别名：785-1249-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 525V 4A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A53D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A53D(STA4QM)-ND
  别名：TK4A53D(STA4QM)
  TK4A53DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 4A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK4A55D(STA4QM)
  TK4A55DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.7A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A60DB(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A60DB(STA4QM)-ND
  别名：TK4A60DB(STA4QM)
  TK4A60DBSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 4A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK4P55D(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK4P55D(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK4P55DT6RSSQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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