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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK4P60DA(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK4P60DA(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK4P60DAT6RSSQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.7A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK4P60DB(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK4P60DB(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK4P60DBT6RSSQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 39A（Tc） 30W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN010-25YLC,115
  仓库库存编号：568-8525-1-ND
  别名：568-8525-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.5A（Tc） 2W（Ta），28W（Tc） TO-220FI（LS）
  
  型号：2SK4197LS
  仓库库存编号：2SK4197LS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4478
  仓库库存编号：785-1289-1-ND
  别名：785-1289-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 13A 1.8W Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  
  型号：AON7902
  仓库库存编号：AON7902-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.3A（Tc） 2W（Ta），28W（Tc） TO-220-3
  
  型号：2SK4197FS
  仓库库存编号：2SK4197FS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.2A（Ta） 540mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN25EN,115
  仓库库存编号：568-10416-1-ND
  别名：568-10416-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 6A SC-73
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 820mW（Ta），8.33W（Tc） SOT-223
  
  型号：PMT29EN,115
  仓库库存编号：568-10828-1-ND
  别名：568-10828-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A050CH
  仓库库存编号：GP1M005A050CH-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M005A050FH
  仓库库存编号：GP1M005A050FH-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M005A050H
  仓库库存编号：GP1M005A050H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M005A050PH
  仓库库存编号：GP1M005A050PH-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M005A050FSH
  仓库库存编号：1560-1159-5-ND
  别名：1560-1159-1
  1560-1159-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 92.5W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M005A050HS
  仓库库存编号：1560-1160-5-ND
  别名：1560-1160-1
  1560-1160-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 57W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU2N60A
  仓库库存编号：AOU2N60A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 6A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4405L
  仓库库存编号：AO4405L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4803AL
  仓库库存编号：AO4803AL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4803L
  仓库库存编号：AO4803L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4842L
  仓库库存编号：AO4842L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU2N60_001
  仓库库存编号：AOU2N60_001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.3A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
  
  型号：IRLMS5703TR
  仓库库存编号：IRLMS5703CT-ND
  别名：*IRLMS5703TR
  IRLMS5703
  IRLMS5703CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7506TR
  仓库库存编号：IRF7506CT-ND
  别名：*IRF7506TR
  IRF7506
  IRF7506CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1
  仓库库存编号：IRF7526D1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1TR
  仓库库存编号：IRF7526D1TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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