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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4497DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4497DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4497DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 78A
  详细描述：通孔 P 沟道 78A（Ta） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220F-3SG
  
  型号：BMS3003-1E
  仓库库存编号：BMS3003-1EOS-ND
  别名：BMS3003-1E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263
  
  型号：SQM120N04-1M7L_GE3
  仓库库存编号：SQM120N04-1M7L_GE3CT-ND
  别名：SQM120N04-1M7L-GE3-ND
  SQM120N04-1M7L-GE3CT-ND
  SQM120N04-1M7L_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta），423A（Tc） 3.3W（Ta），180W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8050ET30
  仓库库存编号：FDMS8050ET30CT-ND
  别名：FDMS8050ET30CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA140N10
  仓库库存编号：FQA140N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 543W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH76N60N
  仓库库存编号：FCH76N60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA90N15_F109
  仓库库存编号：FQA90N15_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 N 30/20 IN POWERCLIP 56 SING
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：FDMS8050
  仓库库存编号：FDMS8050-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA90N15
  仓库库存编号：FQA90N15FS-ND
  别名：FQA90N15-ND
  FQA90N15FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 76A（Tc） 543W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA76N60N
  仓库库存编号：FCA76N60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 90A（Tc） 375W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH90N15
  仓库库存编号：FQH90N15-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH140N10
  仓库库存编号：FQH140N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 42A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8014JLL
  仓库库存编号：APT8014JLL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 210A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 170V 210A（Tc） 1150W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK210N17T
  仓库库存编号：IXFK210N17T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 170V 210A（Tc） 1150W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX210N17T
  仓库库存编号：IXFX210N17T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 78A TO-220ML
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 78A（Ta） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220ML
  
  型号：BMS3003
  仓库库存编号：BMS3003-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM120N04-1M7L-GE3
  仓库库存编号：SUM120N04-1M7L-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 285nC @ 10V,
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