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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT22F120B2
仓库库存编号:
APT22F120B2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 21A(Tc) 462W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT21M100J
仓库库存编号:
APT21M100J-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7633DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7633DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7633DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 67A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH67N10
仓库库存编号:
IXTH67N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 77A(Tc) 481W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT77N60BC6
仓库库存编号:
APT77N60BC6-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT19F100J
仓库库存编号:
APT19F100J-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ409EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ409EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ409EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ402E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ402E-T1_GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 77A(Tc) 481W(Tc) D3Pak
型号:
APT77N60SC6
仓库库存编号:
APT77N60SC6-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT47N65BC3G
仓库库存编号:
APT47N65BC3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 43A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 43A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT41M80L
仓库库存编号:
APT41M80L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 43A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT41M80B2
仓库库存编号:
APT41M80B2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 32A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT31M100B2
仓库库存编号:
APT31M100B2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 41A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT38F80B2
仓库库存编号:
APT38F80B2-ND
别名:APT38F80B2MI
APT38F80B2MI-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
APT29F100L
仓库库存编号:
APT29F100L-ND
别名:APT29F100LMI
APT29F100LMI-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 23A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT22F120L
仓库库存编号:
APT22F120L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT75N10
仓库库存编号:
IXTT75N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 55A(Tc) 625W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL80N50Q2
仓库库存编号:
IXFL80N50Q2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 50A(Tc) 1135W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB50N80Q2
仓库库存编号:
IXFB50N80Q2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP3
型号:
APTM100H46FT3G
仓库库存编号:
APTM100H46FT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 75A 300W Through Hole ECO-PAC2
型号:
VKM60-01P1
仓库库存编号:
VKM60-01P1-ND
别名:VKM 60-01 P1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1405
仓库库存编号:
AUIRF1405-ND
别名:SP001519124
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 55V 95A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 95A(Tc) 330W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
AUIRFBA1405
仓库库存编号:
AUIRFBA1405-ND
别名:SP001519538
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 320A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 330W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRF2804STRL7P
仓库库存编号:
AUIRF2804STRL7P-ND
别名:SP001519258
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB3207
仓库库存编号:
AUIRFB3207-ND
别名:SP001519144
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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