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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 180A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRF2907ZS7PTL
仓库库存编号:
AUIRF2907ZS7PTL-ND
别名:SP001516558
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 306W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R3-40C,127
仓库库存编号:
568-7492-5-ND
别名:568-7492-5
934064467127
BUK652R3-40C,127-ND
BUK652R340C127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH67N10
仓库库存编号:
IXFH67N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP1
型号:
APTM100A46FT1G
仓库库存编号:
APTM100A46FT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA40T1G
仓库库存编号:
APTM100DA40T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100SK40T1G
仓库库存编号:
APTM100SK40T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1
型号:
APTM120A80FT1G
仓库库存编号:
APTM120A80FT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA68T1G
仓库库存编号:
APTM120DA68T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM120SK68T1G
仓库库存编号:
APTM120SK68T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 72A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC75N10
仓库库存编号:
IXTC75N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.5W(Ta),213W(Tc) TO-263
型号:
2SK3811-ZP-E1-AY
仓库库存编号:
2SK3811-ZP-E1-AYCT-ND
别名:2SK3811-ZP-E1-AYCT
2SK3811ZPE1AY
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH67N10Q
仓库库存编号:
IXFH67N10Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 131A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405S
仓库库存编号:
IRF1405S-ND
别名:*IRF1405S
SP001561508
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 131A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405STRR
仓库库存编号:
IRF1405STRR-ND
别名:SP001564256
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 170A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 170A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1704
仓库库存编号:
IRF1704-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 174A(Tc) 330W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRFBA1405P
仓库库存编号:
IRFBA1405P-ND
别名:*IRFBA1405P
Q1429145
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 330W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF2804STRL-7P
仓库库存编号:
IRF2804STRL-7P-ND
别名:*IRF2804S-7P
IRF2804S-7P
IRF2804S-7P-ND
SP001564686
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 180A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 180A(Tc) 330W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3207
仓库库存编号:
IRFSL3207-ND
别名:*IRFSL3207
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 131A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 131A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1405LPBF
仓库库存编号:
IRF1405LPBF-ND
别名:*IRF1405LPBF
SP001550918
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 60V 130A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP064VPBF
仓库库存编号:
IRFP064VPBF-ND
别名:*IRFP064VPBF
SP001556686
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
64-2096PBF
仓库库存编号:
64-2096PBFCT-ND
别名:IRF2907ZSTRL7PPCT
IRF2907ZSTRL7PPCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 260nC @ 10V,
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