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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH9N80
  仓库库存编号：IXFH9N80-ND
  别名：Q3837074
  Q4932885
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH7N80
  仓库库存编号：IXFH7N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB30N60E-GE3-ND
  别名：SIHB30N60EGE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 55A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ423EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ423EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ423EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 190W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI175N4F6AG
  仓库库存编号：STI175N4F6AG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 190W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH180N4F6-2
  仓库库存编号：STH180N4F6-2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET W/SC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR798DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR798DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR158DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR158DP-T1-RE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD50N04-4M5L_GE3
  仓库库存编号：SQD50N04-4M5L_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50N04-4M0L_GE3
  仓库库存编号：SQM50N04-4M0L_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 120V 72A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Ta） 255W（Tc） TO-220-3
  
  型号：TK72E12N1,S1X
  仓库库存编号：TK72E12N1S1X-ND
  别名：TK72E12N1,S1X(S
  TK72E12N1S1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM35N30-97_GE3
  仓库库存编号：SQM35N30-97_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Ta） D2PAK
  
  型号：NTBV75N06T4G
  仓库库存编号：NTBV75N06T4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP130N10T2
  仓库库存编号：IXFP130N10T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA130N10T2
  仓库库存编号：IXFA130N10T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG30N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG30N60E-E3-ND
  别名：SIHG30N60EE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH8N80
  仓库库存编号：IXFH8N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT8P50
  仓库库存编号：IXTT8P50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH11P50
  仓库库存编号：IXTH11P50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N90
  仓库库存编号：IXTH6N90-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT11P50
  仓库库存编号：IXTT11P50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 5A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH5N100A
  仓库库存编号：IXTH5N100A-ND
  别名：Q917004
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N90A
  仓库库存编号：IXTH6N90A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N80A
  仓库库存编号：IXTH6N80A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 13A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N90P
  仓库库存编号：IXFR24N90P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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