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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB17N50L
  仓库库存编号：IRFB17N50L-ND
  别名：*IRFB17N50L
  Q1082842
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 220W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP17N50L
  仓库库存编号：IRFP17N50L-ND
  别名：*IRFP17N50L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Ta） 2.4W（Ta），214W（Tj） TO-220AB
  
  型号：NTP75N06
  仓库库存编号：NTP75N06OS-ND
  别名：NTP75N06OS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Ta） 2.4W（Ta），214W（Tj） TO-220AB
  
  型号：NTP75N06G
  仓库库存编号：NTP75N06GOS-ND
  别名：NTP75N06GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 18A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 150V 18A（Tc） 204W（Tc） TO-3P
  
  型号：SFH9154
  仓库库存编号：SFH9154-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 48A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA48N20
  仓库库存编号：FQA48N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB5411NT4G
  仓库库存编号：NTB5411NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5411NG
  仓库库存编号：NTP5411NG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Ta） 2.4W（Ta），214W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB75N06T4G
  仓库库存编号：NTB75N06T4GOSCT-ND
  别名：NTB75N06T4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 65A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP65P04-15-E3
  仓库库存编号：SUP65P04-15-E3-ND
  别名：SUP65P0415E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP30N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP30N60E-E3-ND
  别名：SIHP30N60EE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R4-30E,118
  仓库库存编号：568-10169-1-ND
  别名：568-10169-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
• 不受无铅要求限制
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL6020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL6020DPK-00#T0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB30N60E-E3
  仓库库存编号：SIHB30N60E-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10.5A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT1001R1BN
  仓库库存编号：APT1001R1BN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 11A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT1001RBN
  仓库库存编号：APT1001RBN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT5025BN
  仓库库存编号：APT5025BN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT6040BN
  仓库库存编号：APT6040BN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT6040BNG
  仓库库存编号：APT6040BNG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT8075BN
  仓库库存编号：APT8075BN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 81A（Tc） 170W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP054N
  仓库库存编号：IRFP054N-ND
  别名：*IRFP054N
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 57A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3710STRR
  仓库库存编号：IRF3710STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 84A（Tc） 200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1010EL
  仓库库存编号：IRF1010EL-ND
  别名：*IRF1010EL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 57A（Tc） 200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3710L
  仓库库存编号：IRF3710L-ND
  别名：*IRF3710L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 84A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010ESTRR
  仓库库存编号：IRF1010ESTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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