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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 97A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3507
  仓库库存编号：IRFB3507-ND
  别名：*IRFB3507
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 97A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3507PBF
  仓库库存编号：IRFB3507PBF-ND
  别名：*IRFB3507PBF
  SP001565920
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 97A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 97A（Tc） 190W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3507
  仓库库存编号：IRFSL3507-ND
  别名：*IRFSL3507
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 97A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3507
  仓库库存编号：IRFS3507-ND
  别名：*IRFS3507
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5-3
  
  型号：BTS244ZNKSA1
  仓库库存编号：BTS244ZNKSA1-ND
  别名：BTS244Z
  BTS244Z-ND
  BTS244ZNK
  SP000012177
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） P-TO220-5
  
  型号：BTS244Z E3043
  仓库库存编号：BTS244Z E3043-ND
  别名：BTS244ZE3043
  BTS244ZE3043AKSA1
  BTS244ZE3043NK
  SP000012178
  SP000399006
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5-62
  
  型号：BTS244Z E3062A
  仓库库存编号：BTS244Z E3062A-ND
  别名：BTS244ZE3062AATMA1
  BTS244ZE3062ANT
  BTS244ZE3062AT
  SP000012180
  SP000399004
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-07
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-07-ND
  别名：SP000016357
  SPB80N06S2L07T
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-07
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-07-ND
  别名：SP000012823
  SPP80N06S2L07
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 97A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3507TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3507TRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L07ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-07
  IPB80N06S2L-07-ND
  SP000218867
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB034N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB034N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB034N06N3 GCT
  IPB034N06N3 GCT-ND
  IPB034N06N3G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 22A（Ta），160A（Tc） 2.1W（Ta），113W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF9383MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF9383MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF9383MTR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 56A（Tc） 98W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IRFR7446PBF
  仓库库存编号：IRFR7446PBF-ND
  别名：SP001576132
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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