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• Texas Instruments
  MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 15V 1.17A 840mW Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：TPS1120DR
  仓库库存编号：296-1352-1-ND
  别名：296-1352-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.45nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：TPS1100D
  仓库库存编号：296-3379-5-ND
  别名：296-3379-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.45nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.27A（Ta） 504mW（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：TPS1100PWR
  仓库库存编号：296-13383-1-ND
  别名：296-13383-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.45nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15V 1.6A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：TPS1100DR
  仓库库存编号：TPS1100DR-ND
  别名：TPS1100DRG4
  TPS1100DRG4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.45nC @ 10V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：TPS1100DG4
  仓库库存编号：TPS1100DG4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.45nC @ 10V,
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