品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9310TRPBF
仓库库存编号:
IRF9310TRPBFCT-ND
别名:IRF9310TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP032N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP032N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP032N06N3 G
IPP032N06N3 G-ND
IPP032N06N3G
SP000680770
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI032N06N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI032N06N3GAKSA1-ND
别名:SP000680650
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
IPA032N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA032N06N3GXKSA1-ND
别名:IPA032N06N3 G
IPA032N06N3 G-ND
IPA032N06N3G
SP000453608
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 156W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7085TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7085TRPBFCT-ND
别名:IRFH7085TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB029N06N3 G
仓库库存编号:
IPB029N06N3 GCT-ND
别名:IPB029N06N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3 G E8187-ND
SP000939334
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 375A(Tc) 4.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
AUIRF7799L2TR
仓库库存编号:
AUIRF7799L2TR-ND
别名:SP001522796
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI032N06N3 G
仓库库存编号:
IPI032N06N3 G-ND
别名:SP000451490
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 375A(Tc) 4.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7799L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7799L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7799L2TR1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V,
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