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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7116DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7116DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7116DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7116DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7116DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7116DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC608PZ
  仓库库存编号：FDC608PZCT-ND
  别名：FDC608PZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.7A（Ta），50A（Tc） 3.8W（Ta），44W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD3706
  仓库库存编号：FDD3706FSCT-ND
  别名：FDD3706FSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6898AZ
  仓库库存编号：FDS6898AZCT-ND
  别名：FDS6898AZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6898A
  仓库库存编号：FDS6898ACT-ND
  别名：FDS6898ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 75W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8726TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8726TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8726TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7469TRPBF
  仓库库存编号：IRF7469PBFCT-ND
  别名：*IRF7469TRPBF
  IRF7469PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB8748PBF
  仓库库存编号：IRLB8748PBF-ND
  别名：SP001567020
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A 8HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1E180BNTB
  仓库库存编号：RS1E180BNTBCT-ND
  别名：RS1E180BNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6898AZ_F085
  仓库库存编号：FDS6898AZ_F085CT-ND
  别名：FDS6898AZ_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 12V 6.5A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.5A 1.4W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：AO8807
  仓库库存编号：785-1245-1-ND
  别名：785-1245-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD17303Q5
  仓库库存编号：296-27232-1-ND
  别名：296-27232-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V SC-74
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.2A（Ta） 550mW（Ta）, 6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN30XPX
  仓库库存编号：1727-2699-1-ND
  别名：1727-2699-1
  568-13218-1
  568-13218-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB33XP,115
  仓库库存编号：1727-1240-1-ND
  别名：1727-1240-1
  568-10445-1
  568-10445-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM180P03CS RLG
  仓库库存编号：TSM180P03CS RLGTR-ND
  别名：TSM180P03CS RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM180P03CS RLG
  仓库库存编号：TSM180P03CS RLGCT-ND
  别名：TSM180P03CS RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM180P03CS RLG
  仓库库存编号：TSM180P03CS RLGDKR-ND
  别名：TSM180P03CS RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V SC-74
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 500mW（Ta），8.33W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN40UPEAX
  仓库库存编号：PMN40UPEAX-ND
  别名：934068549115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-DFN（3x2）
  
  型号：AON4407
  仓库库存编号：785-1571-1-ND
  别名：785-1571-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 9A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4821
  仓库库存编号：AO4821-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），68W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4806NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD4806NT4G-VF01-ND
  别名：NTDV20N06T4G-VF01
  NVD4806NT4G
  NVD4806NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4348DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4348DY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4348DY-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 9A（Ta） 930mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4503NR2
  仓库库存编号：NTMS4503NR2OSCT-ND
  别名：NTMS4503NR2OSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 800mW Surface Mount SuperSOT?-8
  
  型号：FDR8305N
  仓库库存编号：FDR8305N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V,
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