规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.5nC @ 5V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 30W(Tc) I-Pak
型号:
STD17NF03L-1
仓库库存编号:
497-15726-5-ND
别名:497-15726-5
STD17NF03L-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.5nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
型号:
EPC2103ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2103ENGRCT-ND
别名:917-1146-1
917-1146-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.5nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 模具
型号:
EPC2045ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2045ENGRCT-ND
别名:917-EPC2045ENGRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.5nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 30W(Tc) D-Pak
型号:
STD18NF03L
仓库库存编号:
497-7961-1-ND
别名:497-7961-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.5nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 30W(Tc) D-Pak
型号:
STD17NF03LT4
仓库库存编号:
497-3155-1-ND
别名:497-3155-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.5nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
型号:
EPC2103ENG
仓库库存编号:
917-EPC2103ENG-ND
别名:917-EPC2103ENG
EPC2103ENGRH7
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.5nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO200N03S
仓库库存编号:
BSO200N03SINCT-ND
别名:BSO200N03SINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.5nC @ 5V,
无铅
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