品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRLZ34NSTRLPBFCT-ND
别名:IRLZ34NSTRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ34NPBF
仓库库存编号:
IRLZ34NPBF-ND
别名:*IRLZ34NPBF
SP001553290
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ34NPBF
仓库库存编号:
IRLIZ34NPBF-ND
别名:*IRLIZ34NPBF
SP001573820
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TRPBF
仓库库存编号:
IRLR2705PBFCT-ND
别名:*IRLR2705TRPBF
IRLR2705PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 22A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ34N
仓库库存编号:
IRLIZ34N-ND
别名:*IRLIZ34N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34NS
仓库库存编号:
IRLZ34NS-ND
别名:*IRLZ34NS
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34NSTRR
仓库库存编号:
IRLZ34NSTRR-ND
别名:Q971401
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
94-2335
仓库库存编号:
94-2335-ND
别名:*IRLR2705
IRLR2705
IRLR2705-ND
SP001521442
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2705
仓库库存编号:
IRLU2705-ND
别名:*IRLU2705
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ34NL
仓库库存编号:
IRLZ34NL-ND
别名:*IRLZ34NL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TRL
仓库库存编号:
IRLR2705TRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TR
仓库库存编号:
IRLR2705TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP05N03LA
仓库库存编号:
IPP05N03LAIN-ND
别名:IPP05N03LAIN
IPP05N03LAX
IPP05N03LAXTIN
IPP05N03LAXTIN-ND
SP000014020
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA
仓库库存编号:
IPB05N03LAINCT-ND
别名:IPB05N03LAINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LA G
仓库库存编号:
IPD05N03LAGINTR-ND
别名:IPD05N03LA
IPD05N03LAG
IPD05N03LAGINTR
IPD05N03LAGXT
IPD05N03LAGXT-ND
IPD05N03LAINTR
IPD05N03LAINTR-ND
SP000017599
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF05N03LA G
仓库库存编号:
IPF05N03LAGINCT-ND
别名:IPF05N03LAG
IPF05N03LAGINCT
IPF05N03LAGXTINCT
IPF05N03LAGXTINCT-ND
IPF05N03LAINCT
IPF05N03LAINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ34NLPBF
仓库库存编号:
IRLZ34NLPBF-ND
别名:*IRLZ34NLPBF
SP001552974
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
64-4092PBF
仓库库存编号:
64-4092PBF-ND
别名:*IRLU2705PBF
IRLU2705PBF
IRLU2705PBF-ND
SP001550660
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LAT
仓库库存编号:
IPB05N03LAXTINCT-ND
别名:IPB05N03LAXTINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA G
仓库库存编号:
IPB05N03LA G-ND
别名:IPB05N03LAGXT
SP000068872
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LB
仓库库存编号:
IPB05N03LB-ND
别名:IPB05N03LBT
SP000065206
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LB G
仓库库存编号:
IPD05N03LB G-ND
别名:IPD05N03LBGXT
SP000016410
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI05N03LA
仓库库存编号:
IPI05N03LA-ND
别名:IPI05N03LAX
SP000014021
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP05N03LB G
仓库库存编号:
IPP05N03LBGIN-ND
别名:IPP05N03LB G-ND
IPP05N03LBGIN
IPP05N03LBGX
IPP05N03LBGXK
SP000065247
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP07N03LB G
仓库库存编号:
IPP07N03LB G-ND
别名:IPP07N03LBGX
SP000065252
SP000680834
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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