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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ200N075T
仓库库存编号:
IXTQ200N075T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 90A(Tc) 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM90N08-4M8P-E3
仓库库存编号:
SUM90N08-4M8P-E3CT-ND
别名:SUM90N08-4M8P-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 160A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH160N15T
仓库库存编号:
IXFH160N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM90N06-4M4P-E3
仓库库存编号:
SUM90N06-4M4P-E3CT-ND
别名:SUM90N06-4M4P-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7452DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7452DP-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7452DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7452DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7457DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7457DP-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7457DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7457DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 24.4A(Ta),40A(Tc) 3.3W(Ta),79W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N02-3M3P-E3
仓库库存编号:
SUD40N02-3M3P-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 8.3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P10-43-E3
仓库库存编号:
SUD50P10-43-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 36A(Tc) 2W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40P10-43-GE3
仓库库存编号:
SUP40P10-43-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP85N10-10-E3
仓库库存编号:
SUP85N10-10-E3TR-ND
别名:SUP85N10-10-E3TR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUV85N10-10-E3
仓库库存编号:
SUV85N10-10-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML
详细描述:通孔 N 沟道 75V 60A(Ta) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220ML
型号:
BMS4007
仓库库存编号:
BMS4007-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-262
型号:
NP82N04NUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP82N04NUG-S18-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP90N06-5M0P-E3
仓库库存编号:
SUP90N06-5M0P-E3-ND
别名:SUP90N06-5M0P-E3CT
SUP90N06-5M0P-E3CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 82A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP82N03PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP82N03PUG-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 18.8W(Ta), 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM50P10-42-E3
仓库库存编号:
SUM50P10-42-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 60V 210A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
TSM210N06CZ C0G
仓库库存编号:
TSM210N06CZ C0G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 82A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807S
仓库库存编号:
IRF2807S-ND
别名:*IRF2807S
SP001550968
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 82A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRF2807L
仓库库存编号:
IRF2807L-ND
别名:*IRF2807L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 82A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807STRL
仓库库存编号:
IRF2807STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S403ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03-ND
SP000415558
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S403AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S403AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-03
IPI120N06S4-03-ND
SP000396308
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06S403AKSA1-ND
别名:IPP120N06S4-03
IPP120N06S4-03-ND
SP000396380
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
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