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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18502Q5B
  仓库库存编号：296-35629-1-ND
  别名：296-35629-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC123N10LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC123N10LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC123N10LS GCT
  BSC123N10LS GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC060N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC060N10NS3 GCT
  BSC060N10NS3 GCT-ND
  BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF644PBF
  仓库库存编号：IRF644PBF-ND
  别名：*IRF644PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R500C3
  仓库库存编号：IPA90R500C3-ND
  别名：IPA90R500C3XKSA1
  SP000413716
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF644SPBF
  仓库库存编号：IRF644SPBF-ND
  别名：*IRF644SPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R190CFD
  仓库库存编号：IPW65R190CFD-ND
  别名：IPW65R190CFDFKSA1
  SP000905376
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI644GPBF
  仓库库存编号：IRFI644GPBF-ND
  别名：*IRFI644GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP052NE7N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP052NE7N3GXKSA1-ND
  别名：IPP052NE7N3 G
  IPP052NE7N3 G-ND
  IPP052NE7N3G
  SP000641726
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R500C3
  仓库库存编号：IPW90R500C3-ND
  别名：IPW90R500C3FKSA1
  SP000413756
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP405-TL-H
  仓库库存编号：869-1088-1-ND
  别名：869-1088-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB049NE7N3 G
  仓库库存编号：IPB049NE7N3 GCT-ND
  别名：IPB049NE7N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R190CFD
  仓库库存编号：IPA65R190CFD-ND
  别名：IPA65R190CFDXKSA1
  SP000905382
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP50N10-21P-GE3
  仓库库存编号：SUP50N10-21P-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），37A（Tc） 2.1W（Ta），60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD442
  仓库库存编号：785-1107-1-ND
  别名：785-1107-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF40B207
  仓库库存编号：IRF40B207-ND
  别名：SP001564728
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17576Q5B
  仓库库存编号：296-43635-1-ND
  别名：296-43635-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R500C3XKSA1
  仓库库存编号：IPP90R500C3XKSA1-ND
  别名：IPP90R500C3
  IPP90R500C3-ND
  SP000413746
  SP000683100
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），40A（Tc） 3W（Ta），66W（Tc） Dual Cool ? 33
  
  型号：FDMC2512SDC
  仓库库存编号：FDMC2512SDCCT-ND
  别名：FDMC2512SDCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta），59W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC7570S
  仓库库存编号：FDMC7570SCT-ND
  别名：FDMC7570SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD8260L
  仓库库存编号：FDMD8260LCT-ND
  别名：FDMD8260LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 15A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 1.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD8260LET60
  仓库库存编号：FDMD8260LET60CT-ND
  别名：FDMD8260LET60CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2L06GBTMA1
  仓库库存编号：SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
  别名：SPD50N03S2L-06 GCT
  SPD50N03S2L-06 GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N03S2L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N03S2L06ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 194W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R2-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1860-1-ND
  别名：1727-1860-1
  568-11556-1
  568-11556-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
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