规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(100)
分立半导体产品
(100)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R060C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R060C7XKSA1-ND
别名：SP001385014
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 44A（Tc） 245W（Tc） PG-HSOF-8
型号：
IPT60R050G7XTMA1
仓库库存编号：
IPT60R050G7XTMA1-ND
别名：SP001615912
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R060C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R060C7XKSA1-ND
别名：SP001385020
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R060C7XKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R060C7XKSA1-ND
别名：SP001385028
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 7.5A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
型号：
STB9NK70ZT4
仓库库存编号：
STB9NK70ZT4-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 700V 7.5A（Tc） 115W（Tc） I2PAK
型号：
STB9NK70Z-1
仓库库存编号：
STB9NK70Z-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF644S
仓库库存编号：
IRF644S-ND
别名：*IRF644S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF644
仓库库存编号：
IRF644-ND
别名：*IRF644
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF644STRL
仓库库存编号：
IRF644STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 7.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI644G
仓库库存编号：
IRFI644G-ND
别名：*IRFI644G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） I2PAK
型号：
IRF644L
仓库库存编号：
IRF644L-ND
别名：*IRF644L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF644STRR
仓库库存编号：
IRF644STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
含铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 50V 45A（Ta） 125W（Tc） TO-3P（N）
型号：
2SK2744(F)
仓库库存编号：
2SK2744(F)-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2L-06
仓库库存编号：
SPP80N03S2L-06IN-ND
别名：SP000014061
SPP80N03S2L-06IN
SPP80N03S2L-06XTIN
SPP80N03S2L-06XTIN-ND
SPP80N03S2L06X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-06
仓库库存编号：
SPB80N03S2L06INCT-ND
别名：SPB80N03S2L06INCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L-07
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07INCT-ND
别名：SPD30N03S2L07
SPD30N03S2L07INCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S2L-06
仓库库存编号：
SPD50N03S2L06INCT-ND
别名：SPD50N03S2L06
SPD50N03S2L06INCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L06T
仓库库存编号：
SPB80N03S2L06T-ND
别名：SP000016264
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L07T
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07T-ND
别名：SP000013749
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-06 G
仓库库存编号：
SPB80N03S2L-06 G-ND
别名：SP000200145
SPB80N03S2L06GXT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-06
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-06-ND
别名：SP000016265
SPI80N03S2L06X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD068N10N3 G
IPD068N10N3 G-ND
SP000469892
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L-07-ND
SP000254463
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI052NE7N3 G
仓库库存编号：
IPI052NE7N3 G-ND
别名：IPI052NE7N3G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L07GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07GBTMA1TR-ND
别名：SP000443922
SPD30N03S2L-07 G
SPD30N03S2L-07 G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 68nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
