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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7135DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7135DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7135DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100A(Ta) 90W(Tc) ATPAK
型号:
ATP304-TL-H
仓库库存编号:
ATP304-TL-HOSCT-ND
别名:ATP304-TL-HOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16570Q5BT
仓库库存编号:
296-38335-1-ND
别名:296-38335-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB60N80P
仓库库存编号:
IXFB60N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 112A(Tc) 1500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN132N50P3
仓库库存编号:
IXFN132N50P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 190A 568W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FB190SA10
仓库库存编号:
VS-FB190SA10-ND
别名:FB190SA10
FB190SA10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 53A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN60N80P
仓库库存编号:
IXFN60N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4310PBF
仓库库存编号:
IRFB4310PBF-ND
别名:*IRFB4310PBF
SP001566592
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 132A(Tc) 1890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB132N50P3
仓库库存编号:
IXFB132N50P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 960W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB80N50Q2
仓库库存编号:
IXFB80N50Q2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP015N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP015N04NGXKSA1-ND
别名:IPP015N04N G
IPP015N04N G-ND
IPP015N04NG
SP000680760
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60_F085
仓库库存编号:
FCH47N60_F085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60F_F085
仓库库存编号:
FCH47N60F_F085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4310TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4310TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4310TRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB015N04N G
仓库库存编号:
IPB015N04N GCT-ND
别名:IPB015N04N GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1407PBF
仓库库存编号:
IRF1407PBF-ND
别名:*IRF1407PBF
SP001564238
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 380W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL38N100Q2
仓库库存编号:
IXFL38N100Q2-ND
别名:614235
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 63A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL132N50P3
仓库库存编号:
IXFL132N50P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB011N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB011N04NGATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1407STRLPBF
仓库库存编号:
IRF1407STRLPBFCT-ND
别名:IRF1407STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Ta) 3.2W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16570Q5B
仓库库存编号:
CSD16570Q5B-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Ta) 108W(Tc) ATPAK
型号:
NVATS5A304PLZT4G
仓库库存编号:
NVATS5A304PLZT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 230A(Tc) 650W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH230N10T
仓库库存编号:
IXFH230N10T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR40N60C
仓库库存编号:
IXKR40N60C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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MOSFET N-CH 500V 33A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 33A(Tc) 416W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK33N50
仓库库存编号:
IXTK33N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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