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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXKF40N60SCD1
仓库库存编号:
IXKF40N60SCD1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD40-06KC
仓库库存编号:
FMD40-06KC-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 40A(Tc) 625W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL60N80P
仓库库存编号:
IXFL60N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN40N60C
仓库库存编号:
IXKN40N60C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 21A(Tc) 500W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK21N100
仓库库存编号:
IXTK21N100-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 22A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE24N100
仓库库存编号:
IXFE24N100-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN21N100
仓库库存编号:
IXTN21N100-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE23N100
仓库库存编号:
IXFE23N100-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N50Q2
仓库库存编号:
IXFN80N50Q2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 63A(Tc) 520W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F132N50P3
仓库库存编号:
MMIX1F132N50P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 38A(Tc) 890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB38N100Q2
仓库库存编号:
IXFB38N100Q2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
详细描述:Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60AM83B1G
仓库库存编号:
APTC60AM83B1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
详细描述:Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60AM83BC1G
仓库库存编号:
APTC60AM83BC1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P403ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P403ATMA1-ND
别名:SP000840202
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFSL4310
仓库库存编号:
AUIRFSL4310-ND
别名:Q10661606
SP001516116
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4310TRL
仓库库存编号:
AUIRFS4310TRL-ND
别名:SP001517534
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 19A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW18NK80Z
仓库库存编号:
497-4423-5-ND
别名:497-4423-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 22A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXFF24N100
仓库库存编号:
IXFF24N100-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 38A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN38N100Q2
仓库库存编号:
IXFN38N100Q2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE806DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE806DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE806DF-T1-E3CT
SIE806DFT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXUC160N075
仓库库存编号:
IXUC160N075-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE806DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE806DF-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N03-03P-E3
仓库库存编号:
SUM110N03-03P-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-03-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-03-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP85N04-03-E3
仓库库存编号:
SUP85N04-03-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 250nC @ 10V,
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