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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C612NLWFT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C612NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7411DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7411DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7411DN-T1-E3CT
  SI7411DNT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7411DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7411DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7411DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 120W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3709
  仓库库存编号：IRFU3709-ND
  别名：*IRFU3709
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 4.5V,
• 含铅
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