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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 20.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT280L
  仓库库存编号：AOT280L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 20.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB280L
  仓库库存编号：AOB280L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 102A（Tc） 700W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK102N30P
  仓库库存编号：IXFK102N30P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 102A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK102N30P
  仓库库存编号：IXTK102N30P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 60A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR102N30P
  仓库库存编号：IXFR102N30P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN102N30P
  仓库库存编号：IXFN102N30P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 175A 694W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM20AM10FTG
  仓库库存编号：APTM20AM10FTG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 175A 694W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM20AM10STG
  仓库库存编号：APTM20AM10STG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 175A 694W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM20HM10FG
  仓库库存编号：APTM20HM10FG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 175A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20DAM10TG
  仓库库存编号：APTM20DAM10TG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 175A 694W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM20DHM10G
  仓库库存编号：APTM20DHM10G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 175A 694W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM20DUM10TG
  仓库库存编号：APTM20DUM10TG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 175A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20SKM10TG
  仓库库存编号：APTM20SKM10TG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 56A（Ta） 143W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9204PBF
  仓库库存编号：IRF9204PBF-ND
  别名：SP001555810
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 224nC @ 10V,
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