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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7463DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7463DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7463DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7463DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7463DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7463DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 30A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ461EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ461EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ461EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17.5A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP2006UFG-7
  仓库库存编号：DMP2006UFG-7DICT-ND
  别名：DMP2006UFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS27DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS27DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS27DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM45N25-58-E3
  仓库库存编号：SUM45N25-58-E3CT-ND
  别名：SUM45N25-58-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP250PBF
  仓库库存编号：IRFP250PBF-ND
  别名：*IRFP250PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP40N25-60-E3
  仓库库存编号：SUP40N25-60-E3-ND
  别名：SUP40N25-60-E3CT
  SUP40N25-60-E3CT-ND
  SUP40N2560E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N03S4L-02
  仓库库存编号：IPD90N03S4L-02CT-ND
  别名：IPD90N03S4L-02CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4610TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4610TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4610TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4610PBF
  仓库库存编号：IRFB4610PBF-ND
  别名：*IRFB4610PBF
  SP001570704
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP254PBF
  仓库库存编号：IRFP254PBF-ND
  别名：*IRFP254PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP150PBF
  仓库库存编号：IRFP150PBF-ND
  别名：*IRFP150PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220
  
  型号：TK100E10N1,S1X
  仓库库存编号：TK100E10N1S1X-ND
  别名：TK100E10N1,S1X(S
  TK100E10N1S1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK100A10N1,S4X
  仓库库存编号：TK100A10N1S4X-ND
  别名：TK100A10N1,S4X(S
  TK100A10N1,S4X-ND
  TK100A10N1S4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH50P10
  仓库库存编号：IXTH50P10-ND
  别名：606059
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 51A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50HM65FT3G
  仓库库存编号：APTM50HM65FT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP200NF03
  仓库库存编号：497-6738-5-ND
  别名：497-6738-5
  STP200NF03-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 2.4W（Ta），330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB61N15DPBF
  仓库库存编号：IRFB61N15DPBF-ND
  别名：*IRFB61N15DPBF
  SP001560242
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 2.4W（Ta），330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB42N20DPBF
  仓库库存编号：IRFB42N20DPBF-ND
  别名：*IRFB42N20DPBF
  SP001560222
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB200NF03T4
  仓库库存编号：497-6548-1-ND
  别名：497-6548-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH40N30Q
  仓库库存编号：IXFH40N30Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N03S4L-03
  仓库库存编号：IPP80N03S4L-03-ND
  别名：IPP80N03S4L03
  IPP80N03S4L03AKSA1
  SP000275328
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220
  
  型号：TK100E06N1,S1X
  仓库库存编号：TK100E06N1S1X-ND
  别名：TK100E06N1,S1X(S
  TK100E06N1S1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK100A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK100A06N1S4X-ND
  别名：TK100A06N1,S4X(S
  TK100A06N1,S4X-ND
  TK100A06N1S4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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