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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 50A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR58N20
  仓库库存编号：IXFR58N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR48N60Q3
  仓库库存编号：IXFR48N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 18A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N100Q3
  仓库库存编号：IXFR24N100Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 104A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM20DHM16T3G
  仓库库存编号：APTM20DHM16T3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 51A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50DDAM65T3G
  仓库库存编号：APTM50DDAM65T3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 51A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50DSKM65T3G
  仓库库存编号：APTM50DSKM65T3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 104A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM20HM16FTG
  仓库库存编号：APTM20HM16FTG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 51A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM50HM65FTG
  仓库库存编号：APTM50HM65FTG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 200V 104A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM20TAM16FPG
  仓库库存编号：APTM20TAM16FPG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 500V 51A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM50TAM65FPG
  仓库库存编号：APTM50TAM65FPG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N03S4L02ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N03S4L02ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N03S4L-02
  IPB80N03S4L-02-ND
  IPB80N03S4L-02INTR
  IPB80N03S4L-02INTR-ND
  SP000273282
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N03S4L03AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N03S4L03AKSA1-ND
  别名：IPI80N03S4L-03
  IPI80N03S4L-03-ND
  SP000273285
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N10S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N10S403ATMA1-ND
  别名：SP001102598
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N10S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N10S403ATMA1-ND
  别名：SP000915592
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFB4610
  仓库库存编号：AUIRFB4610-ND
  别名：SP001515858
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-1
  
  型号：IPI120N10S403AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N10S403AKSA1-ND
  别名：SP001102584
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N10S403AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N10S403AKSA1-ND
  别名：SP001102564
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NE06-10
  仓库库存编号：497-2778-5-ND
  别名：497-2778-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 37A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW43NM50N
  仓库库存编号：497-8459-5-ND
  别名：497-8459-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50
  仓库库存编号：IRFPC50-ND
  别名：*IRFPC50
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 41A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP150
  仓库库存编号：IRFP150-ND
  别名：*IRFP150
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 23A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP254
  仓库库存编号：IRFP254-ND
  别名：*IRFP254
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 50A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP50N05L
  仓库库存编号：RFP50N05L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 35A（Tc） 310W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA35N40
  仓库库存编号：FQA35N40-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50F
  仓库库存编号：FQA28N50F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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