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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR58N20
仓库库存编号:
IXFR58N20-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 32A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR48N60Q3
仓库库存编号:
IXFR48N60Q3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 18A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N100Q3
仓库库存编号:
IXFR24N100Q3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 104A 390W Chassis Mount SP3
型号:
APTM20DHM16T3G
仓库库存编号:
APTM20DHM16T3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 51A 390W Chassis Mount SP3
型号:
APTM50DDAM65T3G
仓库库存编号:
APTM50DDAM65T3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 51A 390W Chassis Mount SP3
型号:
APTM50DSKM65T3G
仓库库存编号:
APTM50DSKM65T3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 104A 390W Chassis Mount SP4
型号:
APTM20HM16FTG
仓库库存编号:
APTM20HM16FTG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 51A 390W Chassis Mount SP4
型号:
APTM50HM65FTG
仓库库存编号:
APTM50HM65FTG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 200V 104A 390W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTM20TAM16FPG
仓库库存编号:
APTM20TAM16FPG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 500V 51A 390W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTM50TAM65FPG
仓库库存编号:
APTM50TAM65FPG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N03S4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N03S4L02ATMA1TR-ND
别名:IPB80N03S4L-02
IPB80N03S4L-02-ND
IPB80N03S4L-02INTR
IPB80N03S4L-02INTR-ND
SP000273282
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N03S4L03AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N03S4L03AKSA1-ND
别名:IPI80N03S4L-03
IPI80N03S4L-03-ND
SP000273285
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N10S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N10S403ATMA1-ND
别名:SP001102598
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N10S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N10S403ATMA1-ND
别名:SP000915592
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB4610
仓库库存编号:
AUIRFB4610-ND
别名:SP001515858
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-1
型号:
IPI120N10S403AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N10S403AKSA1-ND
别名:SP001102584
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N10S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N10S403AKSA1-ND
别名:SP001102564
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NE06-10
仓库库存编号:
497-2778-5-ND
别名:497-2778-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 37A(Tc) 255W(Tc) TO-247-3
型号:
STW43NM50N
仓库库存编号:
497-8459-5-ND
别名:497-8459-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50
仓库库存编号:
IRFPC50-ND
别名:*IRFPC50
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 100V 41A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP150
仓库库存编号:
IRFP150-ND
别名:*IRFP150
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 23A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP254
仓库库存编号:
IRFP254-ND
别名:*IRFP254
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 50A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP50N05L
仓库库存编号:
RFP50N05L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 400V 35A(Tc) 310W(Tc) TO-3P
型号:
FQA35N40
仓库库存编号:
FQA35N40-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 28.4A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA28N50F
仓库库存编号:
FQA28N50F-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 140nC @ 10V,
无铅
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