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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50
  仓库库存编号：FQA28N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT28F60B
  仓库库存编号：APT28F60B-ND
  别名：APT28F60BMI
  APT28F60BMI-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 104A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM20DHM16TG
  仓库库存编号：APTM20DHM16TG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 200V 104A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM20TDUM16PG
  仓库库存编号：APTM20TDUM16PG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 51A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM50DHM65TG
  仓库库存编号：APTM50DHM65TG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 500V 51A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM50TDUM65PG
  仓库库存编号：APTM50TDUM65PG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IRFP250
  仓库库存编号：IRFP250-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 36A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IXTJ36N20
  仓库库存编号：IXTJ36N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50_F109
  仓库库存编号：FQA28N50_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 75A（Tc） 1W（Ta），138W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP75P04YLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP75P04YLG-E1-AYCT-ND
  别名：NP75P04YLG-E1-AYCT
  NP75P04YLGE1AY
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 15A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 15A（Ta），180A（Tc） 1.9W（Ta），333W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW480
  仓库库存编号：AOW480-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 38A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 38A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL5020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL5020DPK-00#T0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT28F60S
  仓库库存编号：APT28F60S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Ta） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：BXL4004-1E
  仓库库存编号：BXL4004-1E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT40N30Q TR
  仓库库存编号：IXFT40N30Q TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT58N20Q TRL
  仓库库存编号：IXFT58N20Q TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 44A（Tc） 2.4W（Ta），330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB42N20D
  仓库库存编号：IRFB42N20D-ND
  别名：*IRFB42N20D
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4610
  仓库库存编号：IRFB4610-ND
  别名：*IRFB4610
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4610
  仓库库存编号：IRFS4610-ND
  别名：*IRFS4610
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4610
  仓库库存编号：IRFSL4610-ND
  别名：*IRFSL4610
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4610PBF
  仓库库存编号：IRFSL4610PBF-ND
  别名：*IRFSL4610PBF
  SP001578448
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 95A（Tc） 3.8W（Ta），210W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1312PBF
  仓库库存编号：IRF1312PBF-ND
  别名：*IRF1312PBF
  SP001564478
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS4610
  仓库库存编号：AUIRFS4610-ND
  别名：SP001522872
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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