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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），76A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS86300DC
  仓库库存编号：FDMS86300DCFSCT-ND
  别名：FDMS86300DCFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 62.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF2710T
  仓库库存编号：FDPF2710T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 300W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19535KCS
  仓库库存编号：296-37288-5-ND
  别名：296-37288-5
  CSD19535KCS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 260W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2710
  仓库库存编号：FDB2710CT-ND
  别名：FDB2710CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 260W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2710
  仓库库存编号：FDP2710-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN5R0-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7124-1-ND
  别名：1727-7124-1
  568-9494-1
  568-9494-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN5R0-80PS,127
  仓库库存编号：1727-4263-ND
  别名：1727-4263
  568-4894-5
  568-4894-5-ND
  934063912127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 403W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2710_F085
  仓库库存编号：FDP2710_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP076N12N3 G
  仓库库存编号：IPP076N12N3 G-ND
  别名：IPP076N12N3G
  IPP076N12N3GXKSA1
  SP000652736
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI076N12N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI076N12N3GAKSA1-ND
  别名：IPI076N12N3 G
  IPI076N12N3 G-ND
  IPI076N12N3G
  SP000652738
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 330W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI200N6F3
  仓库库存编号：STI200N6F3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 101nC @ 10V,
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