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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPHR9003NL,L1Q
  仓库库存编号：TPHR9003NLL1QCT-ND
  别名：TPHR9003NL,L1QCT
  TPHR9003NL,L1QCT-ND
  TPHR9003NLL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR880DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR880DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR880DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC025N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC025N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC025N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC025N03LSGINCT
  BSC025N03LSGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 176W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP80N06
  仓库库存编号：FDP80N06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ035N03MS G
  仓库库存编号：BSZ035N03MSGINCT-ND
  别名：BSZ035N03MSGINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60
  仓库库存编号：FCP190N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP045N10A_F102
  仓库库存编号：FDP045N10A_F102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP450LCPBF
  仓库库存编号：IRFP450LCPBF-ND
  别名：*IRFP450LCPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 150A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 960mW（Ta）, 132W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1R204PL,L1Q
  仓库库存编号：TPH1R204PLL1QCT-ND
  别名：TPH1R204PLL1QCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF190N60
  仓库库存编号：FCPF190N60-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） Power88
  
  型号：FCMT199N60
  仓库库存编号：FCMT199N60CT-ND
  别名：FCMT199N60CT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPWR8503NL,L1Q
  仓库库存编号：TPWR8503NLL1QCT-ND
  别名：TPWR8503NLL1QCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60_GF102
  仓库库存编号：FCP190N60_GF102-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：FDI045N10A_F102
  仓库库存编号：FDI045N10A_F102-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 216W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCI25N60N_F102
  仓库库存编号：FCI25N60N_F102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 216W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP25N60N_F102
  仓库库存编号：FCP25N60N_F102-ND
  别名：FCP25N60NF102
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 216W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH25N60N
  仓库库存编号：FCH25N60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 43W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF045N10A
  仓库库存编号：FDPF045N10A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.4A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN4008LFG-7
  仓库库存编号：DMN4008LFG-7DICT-ND
  别名：DMN4008LFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP75N10P
  仓库库存编号：IXTP75N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），83A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB056N10NN3GXUMA1
  仓库库存编号：BSB056N10NN3GXUMA1CT-ND
  别名：BSB056N10NN3 GCT
  BSB056N10NN3 GCT-ND
  BSB056N10NN3GXUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK20N60L
  仓库库存编号：785-1532-5-ND
  别名：AOK20N60L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
  
  型号：UPA2814T1S-E2-AT
  仓库库存编号：UPA2814T1S-E2-AT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 48A（Ta） 1.6W（Ta），63W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8056-H,LQ(M
  仓库库存编号：TPCA8056-HLQ(M-ND
  别名：TPCA8056-HLQ(M
  TPCA8056HLQM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF20N60
  仓库库存编号：AOTF20N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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