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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 417W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT20N60L
  仓库库存编号：785-1512-5-ND
  别名：AOT20N60L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF190N60_F152
  仓库库存编号：FCPF190N60_F152-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF20C60
  仓库库存编号：AOTF20C60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 463W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT20C60
  仓库库存编号：AOT20C60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 463W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT20C60L
  仓库库存编号：AOT20C60L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 463W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB20C60L
  仓库库存编号：AOB20C60L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHP22N60EL-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA22N60EL-E3
  仓库库存编号：SIHA22N60EL-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60EL-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3480-AZ
  仓库库存编号：2SK3480-AZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N60EL-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA75N10P
  仓库库存编号：IXTA75N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ75N10P
  仓库库存编号：IXTQ75N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 100V 58A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 4.3W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：AUIRFN7110TR
  仓库库存编号：AUIRFN7110TR-ND
  别名：SP001517416
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP450LC
  仓库库存编号：IRFP450LC-ND
  别名：*IRFP450LC
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7945DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7945DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7945DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4714
  仓库库存编号：785-1052-1-ND
  别名：785-1052-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），85A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1700
  仓库库存编号：785-1128-1-ND
  别名：785-1128-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7945DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7945DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7945DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Ta） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220ML
  
  型号：2SJ656
  仓库库存编号：869-1053-ND
  别名：869-1053
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 27A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） SMP-FD
  
  型号：2SJ665-DL-E
  仓库库存编号：2SJ665-DL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 85A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 85A（Tc） 2.5W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD492
  仓库库存编号：AOD492-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 216W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCI25N60N
  仓库库存编号：FCI25N60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 216W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP25N60N
  仓库库存编号：FCP25N60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：FDI045N10A
  仓库库存编号：FDI045N10A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 74nC @ 10V,
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