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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP045N10A
仓库库存编号:
FDP045N10A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 74nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 463W(Tc) TO-262
型号:
AOW20C60
仓库库存编号:
AOW20C60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 74nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 20A(Tc) 463W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB20C60
仓库库存编号:
AOB20C60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 74nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 45A(Ta) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH4210TRPBF
仓库库存编号:
IRFH4210TRPBFCT-ND
别名:IRFH4210TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 74nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 44A(Ta),260A(Tc) 3.5W(Ta),125W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH4209DTRPBF
仓库库存编号:
IRFH4209DTRPBF-ND
别名:SP001554690
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 74nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 26A
详细描述:N 沟道 80V 26A(Ta) 4W(Ta), 195W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7882TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7882TRPBFCT-ND
别名:IRFH7882TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 74nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 100V 23A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Ta),157A(Tc) 4W(Ta), 195W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7182TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7182TRPBF-ND
别名:SP001556394
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 74nC @ 10V,
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