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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），108A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS86500DC
  仓库库存编号：FDMS86500DCFSCT-ND
  别名：FDMS86500DCFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR866DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR866DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR866DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532
  仓库库存编号：FDB2532CT-ND
  别名：FDB2532CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296190
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296204
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001277604
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL9406_F085
  仓库库存编号：FDBL9406_F085CT-ND
  别名：FDBL9406_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2532_F085
  仓库库存编号：FDB2532_F085CT-ND
  别名：FDB2532_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0120N40
  仓库库存编号：FDBL0120N40CT-ND
  别名：FDBL0120N40CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB31N20DPBF
  仓库库存编号：IRFB31N20DPBF-ND
  别名：*IRFB31N20DPBF
  SP001560192
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4228PBF
  仓库库存编号：IRFB4228PBF-ND
  别名：SP001575554
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V 20A/129A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），129A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800120DC
  仓库库存编号：FDMT800120DCCT-ND
  别名：FDMT800120DCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS31N20DTRLP
  仓库库存编号：IRFS31N20DTRLPCT-ND
  别名：IRFS31N20DTRLPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2532
  仓库库存编号：FDP2532-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 780W（Tc）
  
  型号：IXFH60N65X2
  仓库库存编号：IXFH60N65X2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ74N20P
  仓库库存编号：IXTQ74N20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT74N20P
  仓库库存编号：IXTT74N20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH74N20P
  仓库库存编号：IXFH74N20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R040C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R040C7ATMA1-ND
  别名：SP001277610
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 50A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF300P227
  仓库库存编号：IRF300P227-ND
  别名：SP001582356
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI2532
  仓库库存编号：FDI2532-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5645
  仓库库存编号：FDP5645-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB5645
  仓库库存编号：FDB5645-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 35A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC74N20P
  仓库库存编号：IXFC74N20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 74A（Tc） 480W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV74N20P
  仓库库存编号：IXFV74N20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 107nC @ 10V,
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