以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR470DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR470DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR470DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ469EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ469EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ469EP-T1-GE3CT
  SQJ469EP-T1-GE3CT-ND
  SQJ469EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N100
  仓库库存编号：IXFH12N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE808DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE808DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE808DF-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP33N60EF-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60EF-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N60EF-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD90P04-9M4L_GE3
  仓库库存编号：SQD90P04-9M4L_GE3TR-ND
  别名：SQD90P04-9M4L_GE3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD90P04-9M4L_GE3
  仓库库存编号：SQD90P04-9M4L_GE3CT-ND
  别名：SQD90P04-9M4L_GE3-ND
  SQD90P04-9M4L_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P04-09L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P04-09L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P04-09L_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），198A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86350ET80
  仓库库存编号：FDMS86350ET80CT-ND
  别名：FDMS86350ET80CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH13N80
  仓库库存编号：IXFH13N80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT140N10P
  仓库库存编号：IXTT140N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A TO263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50P03-07_GE3
  仓库库存编号：SQM50P03-07_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2H5ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND
  别名：IPB80N06S2H5ATMA2CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NF55-08T4
  仓库库存编号：497-3737-1-ND
  别名：497-3737-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），130A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86350
  仓库库存编号：FDMS86350CT-ND
  别名：FDMS86350CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF55-08
  仓库库存编号：497-3202-5-ND
  别名：497-3202-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB78NF55-08
  仓库库存编号：STB78NF55-08-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP50P03-07_GE3
  仓库库存编号：SQP50P03-07_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50P06-15L_GE3
  仓库库存编号：SQM50P06-15L_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7455DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7455DP-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7455DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7455DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE808DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE808DF-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ140N10P
  仓库库存编号：IXTQ140N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索