以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB6060L
  仓库库存编号：NDB6060LCT-ND
  别名：NDB6060LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 100W（Tc） TO-220
  
  型号：NDP6060L
  仓库库存编号：NDP6060L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3705ZPBF
  仓库库存编号：IRL3705ZPBF-ND
  别名：*IRL3705ZPBF
  SP001557992
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 258W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9606-55B,118
  仓库库存编号：1727-5259-1-ND
  别名：1727-5259-1
  568-6584-1
  568-6584-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3705ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRL3705ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRL3705ZSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），50A（Tc） 153W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8444L_F085
  仓库库存编号：FDD8444L_F085CT-ND
  别名：FDD8444L_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Ta） 50W（Tc） LPTS
  
  型号：RSJ250P10TL
  仓库库存编号：RSJ250P10TLCT-ND
  别名：RSJ250P10TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 66A（Tc） 182W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9615-100E,118
  仓库库存编号：1727-1094-1-ND
  别名：1727-1094-1
  568-10247-1
  568-10247-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 258W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E06-55B,127
  仓库库存编号：1727-5270-ND
  别名：1727-5270
  568-6638
  568-6638-5
  568-6638-5-ND
  568-6638-ND
  934057313127
  BUK9E06-55B
  BUK9E06-55B,127-ND
  BUK9E06-55B-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3705ZLPBF
  仓库库存编号：IRL3705ZLPBF-ND
  别名：*IRL3705ZLPBF
  SP001576270
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 86A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRL3705Z
  仓库库存编号：AUIRL3705Z-ND
  别名：SP001519682
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 258W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9506-55B,127
  仓库库存编号：568-6631-5-ND
  别名：568-6631
  568-6631-5
  568-6631-ND
  934057311127
  BUK9506-55B
  BUK9506-55B,127-ND
  BUK9506-55B-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB146NQ06LT,118
  仓库库存编号：568-2185-1-ND
  别名：568-2185-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7822TRL
  仓库库存编号：IRF7822TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7822TRR
  仓库库存编号：IRF7822TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16A（Ta），50A（Tc） 153W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8444L
  仓库库存编号：FDD8444LCT-ND
  别名：FDD8444LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6463BDQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6463BDQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6463BDQ-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6463BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6463BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6463BDQ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.3A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6443DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6443DQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6443DQ-T1-GE3CT
  SI6443DQT1GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.3A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6443DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6443DQ-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9609-55A,118
  仓库库存编号：568-9675-1-ND
  别名：568-9675-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3705Z
  仓库库存编号：IRL3705Z-ND
  别名：*IRL3705Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3705ZL
  仓库库存编号：IRL3705ZL-ND
  别名：*IRL3705ZL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3705ZSTRL
  仓库库存编号：IRL3705ZSCT-ND
  别名：IRL3705ZSCT
  IRL3705ZSCTL-ND
  IRL3705ZSLCT
  IRL3705ZSLCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7822TRPBF
  仓库库存编号：IRF7822PBFCT-ND
  别名：*IRF7822TRPBF
  IRF7822PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索