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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 13A, 26A 800mW, 900mW Surface Mount Powerclip-33
  
  型号：FDPC8012S
  仓库库存编号：FDPC8012SCT-ND
  别名：FDPC8012SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.4A, 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7507TRPBF
  仓库库存编号：IRF7507TRPBFCT-ND
  别名：IRF7507TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6318P
  仓库库存编号：FDC6318PCT-ND
  别名：FDC6318PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 30V 65A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 50W（Tc） DPAK
  
  型号：STD65N3LLH5
  仓库库存编号：497-13425-1-ND
  别名：497-13425-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Tc） 600mW（Ta），900mW（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1403CDL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1403CDL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1403CDL-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7501TRPBF
  仓库库存编号：IRF7501TRPBFCT-ND
  别名：IRF7501TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 30V 65A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 65A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU65N3LLH5
  仓库库存编号：497-13446-ND
  别名：497-13446
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 1.7W（Ta） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：MCP87130T-U/LC
  仓库库存编号：MCP87130T-U/LCCT-ND
  别名：MCP87130T-U/LCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 2.1W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87130T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87130T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87130T-U/MFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.9A（Tc） 3W（Tc） TO-236（SOT-23）
  
  型号：SQ2301ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2301ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2301ES-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.8A（Tc） 13.6W（Tc）
  
  型号：SQA410EJ-T1_GE3
  仓库库存编号：SQA410EJ-T1_GE3CT-ND
  别名：SQA410EJ-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL60N3LLH5
  仓库库存编号：497-11094-1-ND
  别名：497-11094-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1413EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1413EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1413EDH-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS12N3LLH5
  仓库库存编号：497-12346-1-ND
  别名：497-12346-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RTL030P02TR
  仓库库存编号：RTL030P02CT-ND
  别名：RTL030P02CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），55A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B14NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B14NLWFT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS6B14NLWFT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.5A（Tc） 11.5W（Tc） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRL60HS118
  仓库库存编号：IRL60HS118CT-ND
  别名：IRL60HS118CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RUR040N02TL
  仓库库存编号：RUR040N02TLCT-ND
  别名：RUR040N02TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.08W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMP3098LQ-7
  仓库库存编号：DMP3098LQ-7-ND
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.4A 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
  
  型号：AON4803
  仓库库存编号：AON4803-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8SOFL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Ta），38A（Tc） 920mW（Ta），20.8W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4927NCT1G
  仓库库存编号：NTMFS4927NCT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8SOFL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Ta），38A（Tc） 920mW（Ta），20.8W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4927NCT3G
  仓库库存编号：NTMFS4927NCT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Ta），37A（Tc） 810mW（Ta），20.8W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4928NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4928NTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 10A TP-FA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1W（Ta），15W（Tc） DPAK/TP-FA
  
  型号：SFT1341-TL-W
  仓库库存编号：SFT1341-TL-W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 10A TP
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Ta） 1W（Ta），15W（Tc） IPAK/TP
  
  型号：SFT1341-W
  仓库库存编号：SFT1341-W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V,
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