规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 5V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(9)
分立半导体产品
(9)
筛选品牌
Nexperia USA Inc. (3)
NXP USA Inc. (4)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R5-60E,118
仓库库存编号:
1727-7136-1-ND
别名:1727-7136-1
568-9569-1
568-9569-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 5V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 150A SOT78
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R9-40PLQ
仓库库存编号:
1727-1851-ND
别名:1727-1851
568-11542
568-11542-ND
934067498127
934067606127
PSMN1R9-40PLQ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 5V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R6-40E,118
仓库库存编号:
1727-1895-1-ND
别名:1727-1895-1
568-11628-1
568-11628-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 5V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3PF
详细描述:通孔 P 沟道 200V 12.6A(Tc) 90W(Tc) TO-3PF
型号:
SFF9250L
仓库库存编号:
SFF9250L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 5V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 19.5A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 200V 19.5A(Tc) 204W(Tc) TO-3P
型号:
SFH9250L
仓库库存编号:
SFH9250L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 5V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK951R9-40E,127
仓库库存编号:
568-9860-5-ND
别名:568-9860-5
934066521127
BUK951R940E127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 5V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK952R8-60E,127
仓库库存编号:
568-9862-5-ND
别名:568-9862-5
934066522127
BUK952R860E127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 5V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E2R8-60E,127
仓库库存编号:
568-9872-5-ND
别名:568-9872-5
934066513127
BUK9E2R860E127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 5V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E1R8-40E,127
仓库库存编号:
BUK9E1R8-40E,127-ND
别名:934066586127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 5V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号