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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL640A
仓库库存编号:
IRL640A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 9.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
IRLS640A
仓库库存编号:
IRLS640AFS-ND
别名:IRLS640A-ND
IRLS640AFS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 5V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
STD60NF55LT4
仓库库存编号:
497-15669-1-ND
别名:497-15669-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7455TRPBF
仓库库存编号:
IRF7455PBFCT-ND
别名:*IRF7455TRPBF
IRF7455PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7455
仓库库存编号:
IRF7455-ND
别名:*IRF7455
SP001572180
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 5V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 254W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E04-30B,127
仓库库存编号:
568-6637-5-ND
别名:568-6637
568-6637-5
568-6637-ND
934058069127
BUK9E04-30B
BUK9E04-30B,127-ND
BUK9E04-30B-ND
BUK9E0430B127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7060N7
仓库库存编号:
FDS7060N7CT-ND
别名:FDS7060N7_NLCT
FDS7060N7_NLCT-ND
FDS7060N7CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 84A(Ta) 83W(Ta) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6670AL
仓库库存编号:
FDD6670AL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 84A(Ta) 83W(Ta) IPAK(TO-251)
型号:
FDU6688
仓库库存编号:
FDU6688-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6688
仓库库存编号:
FDS6688-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 5V,
无铅
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