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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM55P06-19L-E3
  仓库库存编号：SUM55P06-19L-E3CT-ND
  别名：SUM55P06-19L-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 200W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW11NK90Z
  仓库库存编号：497-6198-5-ND
  别名：497-6198-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 9.2A（Ta），53A（Tc） 3.1W（Ta），104.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP53P06-20-E3
  仓库库存编号：SUP53P06-20-E3-ND
  别名：SUP53P0620E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：NDP7060
  仓库库存编号：NDP7060-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH290N4F6-6AG
  仓库库存编号：497-16510-1-ND
  别名：497-16510-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH290N4F6-2AG
  仓库库存编号：497-16509-1-ND
  别名：497-16509-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 415W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30F50B
  仓库库存编号：APT30F50B-ND
  别名：APT30F50BMP
  APT30F50BMP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK35A65W5,S5X
  仓库库存编号：TK35A65W5S5X-ND
  别名：TK35A65W5,S5X(M
  TK35A65W5S5X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP302-TL-H
  仓库库存编号：ATP302-TL-HOSCT-ND
  别名：ATP302-TL-HOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 17.3A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17.3A（Tc） 7.14W（Tc） 8-SO
  
  型号：SQ4401EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4401EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4401EY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），29W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7426
  仓库库存编号：AON7426-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 200V 6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta），6A（Tc） 2.5W（Ta），42.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4504
  仓库库存编号：785-1479-1-ND
  别名：785-1479-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 34A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8128,LQ(CM
  仓库库存编号：TPCA8128LQ(CM-ND
  别名：TPCA8128LQ(CM
  TPCA8128LQCM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7742DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7742DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7742DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 85A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），104W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6260
  仓库库存编号：AON6260-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Ta） 84W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS5A302PLZT4G
  仓库库存编号：NVATS5A302PLZT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT262L
  仓库库存编号：785-1413-5-ND
  别名：785-1413-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0690N1507L
  仓库库存编号：FDB0690N1507L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT30F50S
  仓库库存编号：APT30F50S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W5,S1F
  仓库库存编号：TK35N65W5S1F-ND
  别名：TK35N65W5,S1F(S
  TK35N65W5,S1F-ND
  TK35N65W5S1F
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 110A Surface Mount 24-SMD
  
  型号：GMM3X120-0075X2-SMDSAM
  仓库库存编号：GMM3X120-0075X2-SMDSAM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 50A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 50A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW50NB20
  仓库库存编号：497-2670-5-ND
  别名：497-2670-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 312W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW30NM60D
  仓库库存编号：497-4426-5-ND
  别名：497-4426-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 75A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：NDP7050
  仓库库存编号：NDP7050-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB7060
  仓库库存编号：NDB7060TR-ND
  别名：NDB7060TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 115nC @ 10V,
• 含铅
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