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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P06-07L-E3
  仓库库存编号：SUM110P06-07L-E3CT-ND
  别名：SUM110P06-07L-E3-ND
  SUM110P06-07L-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 345nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 1390W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX180N25T
  仓库库存编号：IXFX180N25T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 345nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 180A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 1390W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK180N25T
  仓库库存编号：IXFK180N25T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 345nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 168A（Tc） 900W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N25T
  仓库库存编号：IXFN180N25T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 345nC @ 10V,
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  250V/240A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 240A（Tc） 1250W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK240N25X3
  仓库库存编号：IXFK240N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 345nC @ 10V,
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  250V/240A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：底座安装 N 沟道 240A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN240N25X3
  仓库库存编号：IXFN240N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 345nC @ 10V,
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  250V/240A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 240A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX240N25X3
  仓库库存编号：IXFX240N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 345nC @ 10V,
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