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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8441
仓库库存编号：
FDB8441CT-ND
别名：FDB8441CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
BBS3002-DL-1E
仓库库存编号：
BBS3002-DL-1EOSCT-ND
别名：BBS3002-DL-1EOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP8441
仓库库存编号：
FDP8441-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SMP3003-DL-1E
仓库库存编号：
SMP3003-DL-1EOSCT-ND
别名：SMP3003-DL-1EOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SMP3003-TL-1E
仓库库存编号：
SMP3003-TL-1EOSCT-ND
别名：SMP3003-TL-1EOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
BBS3002-TL-1E
仓库库存编号：
BBS3002-TL-1EOSCT-ND
别名：BBS3002-TL-1EOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 15W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110P04-05-E3
仓库库存编号：
SUM110P04-05-E3CT-ND
别名：SUM110P04-05-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT39F60J
仓库库存编号：
APT39F60J-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 170A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA170N06AT4H
仓库库存编号：
NDBA170N06AT4H-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT74N20
仓库库存编号：
IXFT74N20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N20
仓库库存编号：
IXFK80N20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 74A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH74N20
仓库库存编号：
IXFH74N20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 56A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
型号：
APT56M60L
仓库库存编号：
APT56M60L-ND
别名：APT56M60LMI
APT56M60LMI-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT56M60B2
仓库库存编号：
APT56M60B2-ND
别名：APT56M60B2MP
APT56M60B2MP-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT56F60L
仓库库存编号：
APT56F60L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT56F60B2
仓库库存编号：
APT56F60B2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT39M60J
仓库库存编号：
APT39M60J-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
型号：
APTM20DAM08TG
仓库库存编号：
APTM20DAM08TG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
型号：
APTM20SKM08TG
仓库库存编号：
APTM20SKM08TG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 208A 781W Chassis Mount SP4
型号：
APTM20DUM08TG
仓库库存编号：
APTM20DUM08TG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 99A 781W Chassis Mount SP4
型号：
APTM50DUM35TG
仓库库存编号：
APTM50DUM35TG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 208A 781W Chassis Mount SP4
型号：
APTM20AM08FTG
仓库库存编号：
APTM20AM08FTG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 99A 781W Chassis Mount SP4
型号：
APTM50AM35FTG
仓库库存编号：
APTM50AM35FTG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 208A 781W Chassis Mount SP6
型号：
APTM20DHM08G
仓库库存编号：
APTM20DHM08G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 208A 781W Chassis Mount SP6
型号：
APTM20HM08FG
仓库库存编号：
APTM20HM08FG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
无铅
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