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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 99A 781W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM50HM35FG
  仓库库存编号：APTM50HM35FG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 120A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW200NF03
  仓库库存编号：STW200NF03-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 26A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI8441
  仓库库存编号：FDI8441-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L)
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（L）
  
  型号：2SK3132(Q)
  仓库库存编号：2SK3132(Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 99A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 99A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM50DAM35TG
  仓库库存编号：APTM50DAM35TG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 99A 781W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM50DHM35G
  仓库库存编号：APTM50DHM35G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 99A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 99A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM50SKM35TG
  仓库库存编号：APTM50SKM35TG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 23A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8441_F085
  仓库库存编号：FDP8441_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80V 110A（Tc） 13.6W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P08-11-E3
  仓库库存编号：SUM110P08-11-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 100A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Ta） 90W（Tc） SMP-FD
  
  型号：BBS3002-DL-E
  仓库库存编号：BBS3002-DL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 P 沟道 75V 100A（Ta） 90W（Tc） SMP-FD
  
  型号：SMP3003-DL-E
  仓库库存编号：SMP3003-DL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 26A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI8441_F085
  仓库库存编号：FDI8441_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 72A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK72N20
  仓库库存编号：IXFK72N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 280nC @ 10V,
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