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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7N80K5
  仓库库存编号：497-13642-1-ND
  别名：497-13642-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP7N80K5
  仓库库存编号：497-13589-5-ND
  别名：497-13589-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI7N80K5
  仓库库存编号：497-14557-5-ND
  别名：497-14557-5
  STFI7N80K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU7N80K5
  仓库库存编号：497-13656-5-ND
  别名：497-13656-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL7N80K5
  仓库库存编号：497-14059-1-ND
  别名：497-14059-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.4nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7N80K5
  仓库库存编号：497-13597-5-ND
  别名：497-13597-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.4nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 1.12W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：UPA3753GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA3753GR-E1-AT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13.4nC @ 10V,
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