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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN5R6-100PS,127
  仓库库存编号：1727-4283-ND
  别名：1727-4283
  568-4972-5
  568-4972-5-ND
  934064274127
  PSMN5R6100PS127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M65JFLL
  仓库库存编号：APT50M65JFLL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN5R6-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7125-1-ND
  别名：1727-7125-1
  568-9495-1
  568-9495-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP60030E-GE3
  仓库库存编号：SUP60030E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM60030E-GE3
  仓库库存编号：SUM60030E-GE3CT-ND
  别名：SUM60030E-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M65JLL
  仓库库存编号：APT50M65JLL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT50M65B2FLLG
  仓库库存编号：APT50M65B2FLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 365W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH410N4F7-2AG
  仓库库存编号：497-16421-1-ND
  别名：497-16421-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 365W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH410N4F7-6AG
  仓库库存编号：497-16422-1-ND
  别名：497-16422-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 75A（Tc） 1W（Ta），138W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP75P03YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP75P03YDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP75P03YDG-E1-AYCT
  NP75P03YDGE1AY
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT50M65LLLG
  仓库库存编号：APT50M65LLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT50M65LFLLG
  仓库库存编号：APT50M65LFLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT50M65B2LLG
  仓库库存编号：APT50M65B2LLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 110A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 110A（Ta） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0601DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0601DPN-E0#T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 141nC @ 10V,
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