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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM120TDU57PG
  仓库库存编号：APTM120TDU57PG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S08AKSA1
  仓库库存编号：SPP80N06S08AKSA1-ND
  别名：SP000054054
  SP000084810
  SPP80N06S-08
  SPP80N06S-08-ND
  SPP80N06S08
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 130A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF230N085T
  仓库库存编号：IXTF230N085T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 230A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 230A（Tc） 550W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH230N085T
  仓库库存编号：IXTH230N085T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 230A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ230N085T
  仓库库存编号：IXTQ230N085T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 230A（Tc） 550W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV230N085T
  仓库库存编号：IXTV230N085T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 230A（Tc） 550W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV230N085TS
  仓库库存编号：IXTV230N085TS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM120DDA57T3G
  仓库库存编号：APTM120DDA57T3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM120DSK57T3G
  仓库库存编号：APTM120DSK57T3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM120H57FT3G
  仓库库存编号：APTM120H57FT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM120H57FTG
  仓库库存编号：APTM120H57FTG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTM120TA57FPG
  仓库库存编号：APTM120TA57FPG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S08ATMA1
  仓库库存编号：SPB80N06S08ATMA1TR-ND
  别名：SP000054056
  SP000084808
  SPB80N06S-08
  SPB80N06S-08-ND
  SPB80N06S08
  SPB80N06S08T
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S-08
  仓库库存编号：SPI80N06S-08-ND
  别名：SP000054055
  SP000084809
  SPI80N06S08
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 187nC @ 10V,
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