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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• EPC
  TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2015C
  仓库库存编号：917-1083-1-ND
  别名：917-1083-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.7nC @ 5V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.6A（Ta） 1.46W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMN4800LSSQ-13
  仓库库存编号：DMN4800LSSQ-13DICT-ND
  别名：DMN4800LSSQ-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.7nC @ 5V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 10A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.71W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMG4800LK3-13
  仓库库存编号：DMG4800LK3-13DICT-ND
  别名：DMG4800LK3-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.7nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 1.46W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMN4800LSSL-13
  仓库库存编号：DMN4800LSSL-13DICT-ND
  别名：DMN4800LSSL-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.7nC @ 5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1056X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1056X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1056X-T1-E3CT
  SI1056XT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.7nC @ 5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V SC-89-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1056X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1056X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1056X-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.7nC @ 5V,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 36A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
  
  型号：EPC2015CENGR
  仓库库存编号：917-EPC2015CENGRCT-ND
  别名：917-EPC2015CENGRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.7nC @ 5V,
• 无铅
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